RS1E200GNTB 与 BSC042N03LS G 区别
| 型号 | RS1E200GNTB | BSC042N03LS G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-RS1E200GNTB | A-BSC042N03LS G |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 5.15mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.6mΩ | 4.2mΩ |
| 上升时间 | 7.2ns | 4.4ns |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3W | 2.5W |
| Qg-栅极电荷 | 16.8nC | - |
| 栅极电压Vgs | 2.5V | 20V |
| 典型关闭延迟时间 | 34.7ns | 24ns |
| 正向跨导 - 最小值 | 18S | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | HSOP-8 | - |
| 连续漏极电流Id | 20A | 93A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C |
| 通道数量 | 1Channel | 1Channel |
| 配置 | Single | SingleQuadDrainTripleSource |
| 系列 | - | OptiMOS3 |
| 长度 | - | 5.9mm |
| 下降时间 | 8.4ns | 4ns |
| 典型接通延迟时间 | 13.2ns | 6ns |
| 高度 | - | 1.27mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 33 | 0 |
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RS1E200GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
20A 3W 4.6mΩ 30V 2.5V HSOP-8 N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 33 | 当前型号 |
|
IRFHM830TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.7W(Ta),37W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 3.8mΩ@20A,10V N-Channel 30V 21A PQFN(3x3) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
BSC883N03LS G | Infineon | 功率MOSFET |
34V 98A 3.8mΩ 20V 2.5W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
|
BSC042N03LS G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
30V 93A 4.2mΩ 20V 2.5W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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